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| 【LED】我國(guó)紫外LED和應(yīng)用研究技術(shù)取得重要突破 |
| （時(shí)間:2011-1-7 10:46:15） |
“十一五”國(guó)家863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域重大項(xiàng)目“半導(dǎo)體照明工程”課題“深紫外LED 制備和應(yīng)用技術(shù)研究”經(jīng)過(guò)持續(xù)攻關(guān)，在高鋁組分材料研究和器件應(yīng)用方面取得重要突破。
半導(dǎo)體深紫外光源在照明、殺菌、醫(yī)療、印刷、生化檢測(cè)、高密度的信息儲(chǔ)存和保密通訊等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價(jià)值。以AlGaN材料為有源區(qū)的深紫外LED的發(fā)光波長(zhǎng)能夠覆蓋210-365nm的紫外波段，是實(shí)現(xiàn)該波段深紫外LED器件產(chǎn)品的理想材料，具有其它傳統(tǒng)紫外光源無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。
在國(guó)家863計(jì)劃支持下，課題研究團(tuán)隊(duì)集中開(kāi)展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作，著重解決材料存在的表面裂紋、晶體質(zhì)量差、鋁組分低、無(wú)法實(shí)現(xiàn)短波長(zhǎng)發(fā)光和結(jié)構(gòu)材料設(shè)計(jì)等問(wèn)題，在一些關(guān)鍵技術(shù)方面取得了突破，獲得了高結(jié)晶質(zhì)量無(wú)裂紋的高鋁組分材料。在此基礎(chǔ)上，課題在國(guó)內(nèi)首次成功制備了300nm以下的深紫外LED器件，實(shí)現(xiàn)了器件的毫瓦級(jí)功率輸出，開(kāi)發(fā)了深紫外殺菌模塊，經(jīng)測(cè)試殺菌率達(dá)到95%以上。
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