近日，中科院大連化物所研究員吳忠?guī)浥c包信和院士、中科院物理研究所研究員郭麗偉合作，采用高溫熱解SiC法制備出高堆疊密度、單取向陣列、直接鍵合基底的站立石墨烯，并將其應用于高功率微型超級電容器。相關研究成果發(fā)表在《美國化學會納米》期刊上。
研究人員利用高溫熱解SiC基底方法制備出高堆疊密度、高導電、單一取向的站立石墨烯陣列。與傳統(tǒng)電極材料相比，該陣列直接生長在導電SiC基底上，在電極材料與集流體之間形成較強的界面鍵合作用，并建立了有效的離子和電子傳輸通道。電解液離子可沿著站立石墨烯平面無障礙快速移動，有效縮短了電解液離子路徑，同時，電子從石墨烯平面到集流體實現了快速傳輸及其存儲。采用該陣列的微型超級電容器在凝膠和離子液體電解液中均表現出較高的面容量、快速的頻率響應(9毫秒)、優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性以及超高掃描速率(200V/s)。該超級電容器功率密度達到61W/cm3，理論上可為小型化、集成化電子設備提供足夠的峰值功率。為發(fā)展強界面鍵合電極材料應用于高功率超級電容器提供了新方法。
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